Transistor Mosfet IRFP460
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Este é um transistor MOSFET de alta potência, com uma ótima combinação de chaveamento rápido e baixa resistência de estado condutor (RDS-ON). É feito no encapsulamento TO-247, muito utilizado em aplicações industriais onde há necessidade de dissipação de altas potências que não seriam suportadas pelo encapsulamento TO-220. Entre os seus pontos de aplicação estão o chaveamento rápido, requisições simples de drivers de controle, facilidade de projeto de circuitos com paralelismo de transistores, ponto de montagem central isolado, alto nível de corrente de avalanche repetitiva e valor DV/DT dinâmico.
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Especificações técnicas
| Modelo | IRFP460 |
| Máxima tensão dreno-source [VDS] | 500V |
| Resistência dreno-source em situação polarizado | 270mΩ |
| Máxima potência dissipada a 25°C [PD] | 280W |
| Temperatura de operação e armazenamento | -55 - 150ºC |
| Máxima corrente contínua de dreno (Vgs 10V, TC 25ºC) | 20A |
| Máxima corrente contínua de dreno (Vgs 10V, TC 100ºC) | 13A |
Acompanha
| Quantidade | Descrição |
|---|---|
| 01 | Transistor Mosfet IRFP460 |
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