Transistor Mosfet IRFP460

Código: GV5-F-002 Marca:
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Este é um transistor MOSFET de alta potência, com uma ótima combinação de chaveamento rápido e baixa resistência de estado condutor (RDS-ON). É feito no encapsulamento TO-247, muito utilizado em aplicações industriais onde há necessidade de dissipação de altas potências que não seriam suportadas pelo encapsulamento TO-220. Entre os seus pontos de aplicação estão o chaveamento rápido, requisições simples de drivers de controle, facilidade de projeto de circuitos com paralelismo de transistores, ponto de montagem central isolado, alto nível de corrente de avalanche repetitiva e valor DV/DT dinâmico.

Transistor Mosfet IRFP460

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Especificações técnicas

Modelo IRFP460
Máxima tensão dreno-source [VDS] 500V
Resistência dreno-source em situação polarizado 270mΩ
Máxima potência dissipada a 25°C [PD] 280W
Temperatura de operação e armazenamento -55 - 150ºC
Máxima corrente contínua de dreno (Vgs 10V, TC 25ºC) 20A
Máxima corrente contínua de dreno (Vgs 10V, TC 100ºC) 13A

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Quantidade Descrição
01 Transistor Mosfet IRFP460

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