O Transistor Mosfet IRFP460 é um semicondutor usado em chaveamento ou amplificação, permitindo controlar cargas e sinais a partir de níveis menores de comando. Ele é uma peça central em muitos circuitos de potência e controle, desde que corrente, tensão, dissipação e polarização sejam dimensionadas corretamente.
Onde usar: Acionamento e amplificação de sinais, controle de LEDs, relés, motores e outras cargas, além de fontes e circuitos de chaveamento.
Este é um transistor MOSFET de alta potência, com uma ótima combinação de chaveamento rápido e baixa resistência de estado condutor (RDS ON). É feito no encapsulamento TO 247, muito utilizado em aplicações industriais onde há necessidade de dissipação de altas potências que não seriam suportadas pelo encapsulamento TO 220. Entre os seus pontos de aplicação estão o chaveamento rápido, requisições simples de drivers de controle, facilidade de projeto de circuitos com paralelismo de transistores, ponto de montagem central isolado, alto nível de corrente de avalanche repetitiva e valor DV/DT dinâmico.
| Modelo | IRFP460 |
| Máxima tensão dreno-source [VDS] | 500V |
| Resistência dreno-source em situação polarizado | 270mΩ |
| Máxima potência dissipada a 25°C [PD] | 280W |
| Temperatura de operação e armazenamento | -55 - 150ºC |
| Máxima corrente contínua de dreno (Vgs 10V, TC 25ºC) | 20A |
| Máxima corrente contínua de dreno (Vgs 10V, TC 100ºC) | 13A |
| Quantidade | Descrição |
|---|---|
| 01 | Transistor Mosfet IRFP460 |
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